Els dispositius semiconductors actuals, que funcionen amb característiques nanomètriques i baixes tensions, són molt vulnerables a la descàrrega electroestàtica (ESD), un fenomen on una càrrega elèctrica passa sobtadament entre dos objectes amb diferent potencial elèctric, sovint creant una petita guspira. Fins i tot una descàrrega de només 100 volts pot danyar o destruir components que operen a voltatges tan baixos com 1,2 V, i aproximadament un terç de les avaries durant la fabricació i manipulació de semiconductors es deuen a l’ESD.

Els danys poden ser immediats o bé latentment afectar el dispositiu, provocant fallades més endavant. Aquestes avaries poden comportar des de pèrdues de cèntims en components bàsics fins a milers de dòlars en circuits integrats avançats, a més de costos afegits per revisions, mà d’obra i logística.

Per ajudar a combatre aquest problema, IEEE ha creat un programa formatiu i certificat en disseny pràctic de protecció ESD, destinat a enginyers, tècnics i professionals de qualitat. Aquest curs, basat en estàndards industrials com l’ANSI/ESD S20.20-21, combina teoria, casos reals i tècniques de mitigació per millorar el control de l’ESD en la indústria electrònica, especialment rellevant davant l’augment de dispositius per a IA, 5G i edge computing, on la fiabilitat dels xips és cada cop més crítica. Completar el programa dona accés a un certificat IEEE que acredita formació i hores de desenvolupament professional.