Kamal Rudra és enginyer i investigador especialitzat en semiconductors i fotònica, actualment treballant a IBM Research a Nova York en el desenvolupament de la tecnologia de transistors de nanosheets de 2 nm. Aquesta tecnologia utilitza el mètode litho-etch litho-etch autoalineat per fabricar estructures de connexió de coure a escala nanomètrica, millorant el rendiment dels circuits integrats i permetent processadors més ràpids i eficients energèticament, especialment útils per a la intel·ligència artificial.

Els transistors de nanosheet, formats per capes fines i apilades de silici envoltades per l’elèctrode del gate, ofereixen millor control del flux de corrent i una densitat superior de transistors. Rudra també ha treballat amb dispositius FinFET, una evolució dels transistors convencionals amb estructura 3D que redueix les pèrdues i millora l’eficiència en dispositius com smartphones o sistemes automotrius.

La seva trajectòria inclou estudis a l’Índia i als Estats Units, amb experiència en recerca experimental sobre física de dispositius i ciència de materials, així com la participació en projectes d’integració de dispositius per a LED i sistemes AR/VR. Ha completat diverses pràctiques en institucions de referència i ha obtingut reconeixements internacionals, com la inclusió en llistes de joves professionals destacats i diversos premis acadèmics.

Rudra forma part activa de la IEEE i altres associacions tècniques, utilitzant aquests recursos per créixer professionalment i connectar amb experts del sector. Ha presentat més de 22 patents als Estats Units i participa regularment en activitats formatives, animant als joves a explorar la ciència i la tecnologia com a motor de creixement personal i professional.